vbid/9783658073909

Description

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit k�nnen Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit �ber 100 �m erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere f�r die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor f�hrt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abh�ngigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.Typham this is the title: Protonendotierung von Silizium Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium